ترانزیستور
در سالهای 1904تا 1947 لامپها تنها وسایل الکترونیکی بودند که برای تقویت مورد استفاده قرار می گرفتند . در سال 1906لامپ سه قطبی توسط لی دی فورست ساخته شد و در سال 1930 لامپ های چهار قطبی ( تترود ) و پنج قطبی ( پنتود ) نیز ساخته شدند . در سال های بعد ، صنعت الکترونیک به عنوان یک صنعت اصلی و مهم با قابلیت توسعه بسیار ، مورد توجه قرار گرفت . در 23 دسامبر 1947 صنعت الکترونیک به موفقیت جدیدی دست یافت . دربعد از ظهر این روز والتربراتین و جان باردین عمل تقویت سیگنال را توسط اولین ترانزیستوری که در لابراتوار کمپانی بل ، طراحی . ساخته شده بود ، انجام دادند .
برتریهای ترانزیستور بر لامپ های الکترونی
بعد از اختراع ترانزیستور ، برتریهای این المان نسبت به لامپهای الکترونی ، به زودی آشکار گشت . به طوری که در رادیو و تلویزیون و هم همچنین مدارات الکترونی ترانزیستوری ، بلافاصله ساخته شدند . در زیر به برخی از برتریهای ترانزیستود نسبت به لامپ های الکترونی اشاره شده است .
الف: کوچک تر و سبک تر بودن
ب : احتیاج نداشتن به فیلامان و در نتیجه ، نداشتن تلفات حرارتی تاشی از گرم کردن فیلامان
ج : احتیاج نداشتن به مدت زمان جهت گرم شدن فیلامان
د : کار کردن در ولتاژ های بسیار کم
و : استحکام زیاد و داشتن عمر طولانی
ز : ساده بودن سیم کشی طراحی های ترانزیستوری
باید توجه داشت که لامپها نیز نسبت به ترانزیستور ها از برتری هایی برخوردارند ، از جمله : قدرت بسیار بالا ، تغییر نکردن نقطه کار بر اثر گرما و ... ولی ترانزیستور با داشتن برتریهای فوق در قدرتهای کم و متوسط جانشین لامپها شده است .

ساختمان ترانزیستور
ترانزیستور معمولی ، یک المان سه قطبی است که از سه کریستال نیمه هادی نوع n و p که در کنار یک دیگر قرار میگیرند تشکیل شده است . ترتیب قرار گرفتن نیمه هادی ها در کنار هم ، می تواند به دو صورت انجام پذیرد :
الف : دو قطعه نیمه هادی نوع n در دو طرف و نیمه هادی نوع p در وسط .
ب: دو قطعه نیمه هادی نوع p در دو طرف و نیمه هادی نوع n در وسط .
در حالت (الف) ترانزیستور npn و در حالت (ب) تورانزیستور pnp می نامند .

پایه های خروجی ترانزیستور را به ترتیب امیتر ( منتشر کننده ) ، بیس ( پایه ) و کلکتور ( جمع کننده ) نامگذاری کرده اند . امیتر را با حرف E ، بیس را با حرف B و کلکتور را با حرف C نشان می دهند . پایه های ترانزیستور را می توان با پایه های لامپ تریود از نظر نوع عملکرد به شرح زیر مقایسه نمود :
الف : امیتر با کاتد E=K
ب : بیس با شبکه فرمان B=G
ج : کلکتور با آند C=A
نیمه هادی نوع N یا P به عنوان امیتر به کار می روند ، نسبت به لایه و کلکتور دارای ناخالصی بیشتری می باشد . ضخامت این لایه حدود چند ده میکرون است . و سطح تماس آن نیز بستگی به میزان فرکانسی و قدرت ترانزیستور دارد .
لایه بیس نسبت به کلکتور دارای ناخالصی کمتری است و ضخامت آن نیز به مراتب کمتر از امیتر و کلکتور می باشد و عملا از چند میکرون تجاوز نمی کند .
ناخالصی لایه کلکتور از امیتر کمتر و از بیس بیشتر است . ضخامت این لایه به مراتب بزرگتر از امیتر می باشد ، زیرا تقریبا تمامی تلفات حرارتی ترانزیستور در کلکتور ایجاد می شود .
این نوع ترانزیستورها را به اختصار BJT (Bipolar Junction Transistor ) می نامند .
عملکرد ترانزیستور
1- بایاسینگ ترانزیستور : برای اینکه بتوان از ترانزیستور به عنوان تقویت کننده ، سوییچ و ... استفاده نمود ، باید ابتدا ترانزیستور را از نظر ولتاژDC تغذیه کرد ، عمل تغذیه ولتاژ پایه های ترانزیستور را بایاسینگ ترانزیستور می گویند . با توجه به اینکه ترانزیستور دارای سه پایه می باشد می توانیم یکی از پایه هارا به عنوان مشترک و دو پایه دیگر را به عنوان ورودی و خروجی در نظر بگیریم . اتصال ولتاژ DC به پایه های مختلف ترانزیستور نحوه کار آن را بیان می کند . چون پایه های ترانزیستور سه عدد است ، لذا می توانیم ولتاژ dc را به فرمهای مختلف به ترانزیستور متصل کنیم .
انواع آرایش های ترانزیستور

| NPN | PNP | شكل | NPN | PNP | شكل |
| BC107 BC108 BC109 |
BC177 BC178 BC179 |
BC147 BC148 BC149 |
BC157 BC158 BC159 |
||
| BC167 BC168 BC169 |
BC257 BC258 BC259 |
BC171 BC172 BC173 BC182 BC183 BC184 |
BC251 BC252 BC253 BC212 BC213 BC214 |
||
| BC207 BC208 BC209 |
BC204 BC205 BC206 |
BC237 BC238 BC239 |
BC307 BC308 BC309 |
||
| BC317 BC318 BC319 BC337 BC347 BC348 BC349 BC382 BC383 BC384 |
BC320 BC321 BC322 BC327 BC350 BC351 BC352 |
BC407 BC408 BC409 |
BC417 BC418 BC419 |
||
| BC413 BC414 |
BC415 BC416 |
BC437 BC438 BC439 |
|||
| BC467 BC468 BC469 |
BC547 BC548 BC549 BC582 BC583 BC584 |
BC557 BC558 BC559 BC512 BC513 BC514 |
|||
| BC261 BC262 BC263 |
2N3903 2N3904 |
2N3905 2N3906 |
|||
| 9013 9014 |
9012 9015 |
TIP3055 | TIP2955 | ||
| BD131 BD139 BD263 |
BD132 BD140 BD262 |
MJE 3055T BD267A TIP31A TIP41A |
MJE 2955T BD266A TIP32A TIP42A |
||
| 2N3055 | MJ2955 | 2N3054 | |||
| 2N2222A | Darlington TIP121 TIP132 |
Darlington TIP126 TIP137 |
|||
| Positive Voltage Regulator 1amp 7805 7812 LM2940 |
Negative Voltage Regulator 1amp 7905 7912 |
||||
| Positive Voltage Regulator Adjustable LM317 (1.5amp) LM350 (3amp) |
Positive Voltage Regulator 100mA 78L05 78L12 |
![]() | |||
| Negative Voltage Regulator 100mA 79L05 79L12 |
![]() |
Darlington TIP141 |
Darlington TIP146 |
مدار های الکترونیکی,نصب مدارهای الکتریکی,کنترل موس با میکرو,مدار فرستنده مادون قرمز, تعاریف سنسور گاز, 7 segment display مدار,امواج آلتراسونیک,ریپیتر,مدارات پری امپلی فایر, gm950i download,نقشه مدار سنسور آلتراسونیک,المان های الکتریکی,خازن الکتریکی,انواع آی سی, عملكرد ای سی 555 ,کنترل یک مدار ساده با کامپیوتر ,میکروکنترلر pic پروژه , سنسور آلتراسونیک , نقشه مدار الکترونیک بیسیم prc-77 ,المان های الكترونیكی , بخش if فرستنده مخابراتی؟ , pdf طراحی الگوریتم , لودسل ,المان مقاومت های الکتریکی , آموزش orcad ,, rs232 کنترل,روبات دنبال كننده خط توسط مادون قرمز, rf 301 , فرستنده باند رادیو آماتوری , نویز میکرو, تکرار کننده ,مدارات میکروکنترلر , نظریه های ایشتین ,خازن کریستالی,محاسبه فرکانس اچ اف,گیرنده fm آی سی,شکل مدار فرستنده ,فرستنده یو اچ اف , تلرانس سلف , op_amp کاربردها , eleele.blogfa.com , فروش gp338 , مقالات دانشجوئی, بیسیم prc-77 ,ساختمان داخلی دیود نوری,سنسور نوری مدارات ,دستورات انالوگ در بیس کام , cny70 چیست , آلتراسونیک سنسور , لودسل pdf , طراحی microwave lpf , گیرنده trf ,اکو چیست مدارهای مخابراتی , مدار عملی موس ,مواد منفجره کاربردها ,فیلم مبدلها ,نمایش اعداد روی 7segment ,نمایش اعداد دو رقمی روی 7segment , كنترل بزبان ساده مدار الكترونیك , پیچ ومهره صنعتی , مدارات تقویت کننده , دانشگاه اسلامشهر, مبدلها, تقویت کننده های الکتریکی, ماشین کاری الکتروشیمیایی, درباره repeater, کاربرد سنسور سرعت توسط میکروکنترلر, seven segment راهنما, 7 segment پایه ها, نقشه مدار شمارنده, اعداد رگولاتور,




